Abmessung400 × 1.000 × 600 mm
Betriebstemperaturbis 450 °C
Heizleistung8,5 kW
Diese Wärmekammer wird zur thermischen Behandlung von Waferscheiben für die Halbleiterfertigung unter Stickstoff- und Formiergasatmosphäre verwendet. ZielElektronenbestrahlungen und Ionenimplantationen verursachen im Halbleiterwafer Strahlenschäden, die mit Hilfe eines Temperaturprozesses (250 °C bis 420 °C) gezielt wieder ausgeheilt werden können. Der Ausheilprozess muss unter Inertgasatmosphäre bei einem hohen Grad an Temperaturstabilität und -reproduzierbarkeit durchgeführt werden können.
(B × T × H)
Ausführung
- elektronischer Temperaturregler mit elektronischem Übertemperaturschutz
- Leistungsschaltung: Solid State Relais
- Temperaturerfassung über 4 Mantelthermoelemente Typ „K“ zur Prozessüberwachung
- im Innenraum eingebautes Edelstahl-Prozessrohr aus Werkstoff 1.4541 / 1.4301
- Innendurchmesser: 200 mm
- Außendurchmesser: 204 mm
- Rohrlänge : 720 mm
- Boden 5 mm dick mit Eingang für das vorgewärmte Prozessgas
- Durchflussmesser, Druckminderer und Absperrventile für Stickstoff- und Formiergasanteil
- Lackierung: RAL 6011 resedagrün Struktur
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